RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
39
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2623
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link