RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2590
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link