RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3659
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link