RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2494
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link