RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2949
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link