RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2682
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link