RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3297
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link