RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3297
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link