RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2672
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link