RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2932
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M391B5773DH0-YH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905595-011.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link