RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
41
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.7
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2932
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link