RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3425
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link