RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3819
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link