RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2104
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link