RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
41
Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.7
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
2104
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link