RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
48
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
42
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2011
1420
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link