RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
28
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
17
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
3829
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link