RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
66
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1854
1953
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.A2GC9.AF0 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link