RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
3606
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link