RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14200
Wokół strony 1.35 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
14200
19200
Other
Opis
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2558
2363
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CML4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link