RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
77
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
71
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1863
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link