RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB vs SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
13.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2880
2803
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link