RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB против SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
13.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2880
2803
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link