RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3025
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link