RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2955
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link