RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1890
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link