RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сравнить
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB против Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Средняя оценка
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.7
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
11.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
1890
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link