RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
32
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
32
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
1897
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link