RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
3357
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link