RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
52
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2808
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link