RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
52
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2808
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link