RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
52
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2298
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link