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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Compara
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Puntuación global
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
52
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
1,479.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,226.4
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,479.2
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
590
2298
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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