RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Comparar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
52
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,479.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,226.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,479.2
10.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
590
2298
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link