RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Comparar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
52
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
1,479.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,226.4
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,479.2
10.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
590
2298
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link