RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
AMD R744G2606U1S 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
76
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2606U1S 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
76
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
1809
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link