RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сравнить
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB против AMD R744G2606U1S 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Средняя оценка
AMD R744G2606U1S 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
76
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.7
2,935.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
76
Скорость чтения, Гб/сек
6,336.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,935.8
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1144
1809
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
AMD R744G2606U1S 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link