RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3403
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link