RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
77
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3011
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston HX316C10F/8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-058.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link