RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3236
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link