RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Super Talent F24UB16GV 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Super Talent F24UB16GV 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Super Talent F24UB16GV 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
96
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3046
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link