RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2326
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link