RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2808
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link