RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3271
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link