RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
3271
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link