RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2154
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link