RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
36
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
3201
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link