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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
36
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
22
读取速度,GB/s
14.8
18.2
写入速度,GB/s
8.7
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
3201
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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