RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3546
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link