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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3546
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
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