RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2978
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link