RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2672
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link