RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
39
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
39
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2782
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link